SIZ300DT-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 30V POWERPAIR 3X3
类别：分立半导体产品-FET - 阵列特色产品： PowerPAIR?标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷(TR)FET类型：2N沟道（双）非对称型FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A，28A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：24毫欧@9.8A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：400pF@15V功率-最大值：16.7W，31W安装类型：表面贴装封装：8-PowerWDFN供应商器件封装：*
