SK8603190L参数：NCH 30V POWER TRENCH MOSFET
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：*FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：10 毫欧 @ 8A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1.01mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.3nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1092pF @ 10V功率 - 最大值：2.7W安装类型：*封装：*供应商器件封装：*
