SKB02N120参数:IGBT 1200V 2A 62W TO263-3-2
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:1,000系列:-包装:带卷 (TR)IGBT 类型:NPT电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):3.6V @ 15V,2A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6.2ACurrent - Collector Pulsed (Icm):9.6A功率 - 最大值:62WSwitching Energy:220µJ输入类型:标准Gate Charge:11nCTd (on/off) A 25°C:23ns/260nsTest Condition:800V, 2A, 91 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):50ns封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TO263-3-2