SMMB911DK-T1-GE3参数：MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC75-6L
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：295 毫欧 @ 1.5A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4nC @ 8V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：115pF @ 10V功率 - 最大值：3.1W安装类型：表面贴装封装：PowerPAK? SC-75-6L 双供应商器件封装：PowerPAK? SC-75-6L 双
