SN7002N E6327参数:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductDiscontinuation28/Mar/2008标准包装:3,000系列:SIPMOS®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):200mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):5欧姆@500mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.8V@26µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):1.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):45pF@25V功率-最大值:360mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:PG-SOT23-3