SP8J3TB参数:MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图: RRS,RSSSeries8-SOP,8-SOIC特色产品: ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装:1系列:-包装:剪切带(CT)FET类型:2个P沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):90毫欧@3.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):5.5nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):490pf@10V功率-最大值:2W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SOICN