SP8M6TB参数：MOSFET N+P 30V 3.5A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图： RRS,RSSSeries8-SOP,8-SOIC标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A，3.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：51毫欧@5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.9nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：230pF@10V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
