SPB08P06P参数：MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008标准包装：1,000系列：SIPMOS®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：300毫欧@6.2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：420pF@25V功率-最大值：42W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：P-TO263-3
infineonTO-263(D2PAK)2023+5886全新原厂原装现货
