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SPB20N60

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SPB20N60C3 优势库存
INFINEON
TO263
2023+
5856
原装现货，价格优势
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SPB20N60S5ATMA1
Infineon Techn..
PG-TO263-3-2
2023+
500
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SPB20N60C3ATMA1
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PG-TO263-3-2
2023+
9507
全新原装进口现货品质保证
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SPB20N60C2
INFINEN
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12437
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SPB20N60
INFINEON
TO-220
2023+
1283
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SPB20N60C3
INFINEN
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2023+
12437
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SPB20N60S5
SIEMENS
TO-263
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2172
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SPB20N60C5
INF
TO-263
2023+
18778
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SPB20N60S5
INFINEON
P-TO263-3-2
2023+
24260
品质保证,价格优惠
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SPB20N60C2
INFINEON
TO263-3-2
2023+
10000
品质保证,价格优惠
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SPB20N60C3
InfineonTechno..
Dsup2Pak，TO-..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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SPB20N60C3
InfineonTechno..
TO-263-3,Dsu..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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联系人：李
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SPB20N60S5
InfineonTechno..
TO-263-3,Dsu..
2023+
1250
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SPB20N60S5
SIEMENS
TO-263-2
2023+
5
保证原装正品现货实单价可谈
SPB20N60C3
INF
TO-263-2
2023+
22
优势现货量大可供实单价可谈
SPB20N60C3
Infineon
D2PAK-3
2023+
12300
【【原装绝对有货】】
相关型号： SPB2 SPB18P06P G SPB18P06P SPB17N80C3 SPB16N50C3 SPB-16-LC1

SPB20N60C3
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SPB20N60C3参数：MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters
标准包装：1,000
系列：CoolMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：190毫欧@13.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.9V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：114nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2400pF@25V
功率-最大值：208W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：PG-TO263-3

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