SPB35N10参数：MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008标准包装：1,000系列：SIPMOS®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：35A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：44毫欧@26.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@83µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：65nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1570pF@25V功率-最大值：150W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：P-TO263-3
