SPB80P06P参数:MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductDiscontinuation22/Feb/2008标准包装:1,000系列:SIPMOS®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):80A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):23毫欧@64A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@5.5mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):173nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):5033pF@25V功率-最大值:340W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:PG-TO263-3