SPD02N60C3参数:MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters标准包装:2,500系列:CoolMOS™包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):650V电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):3欧姆@1.1A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.9V@80µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):12.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):200pF@25V功率-最大值:25W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63供应商器件封装:PG-TO252-3