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SPD04N60

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SPD04N60C3 优势库存
infineon
TO-252(DPAK)
2023+
7102
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SPD04N60S5 优势库存
infineon
TO-252(DPAK)
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SPD04N60C2 优势库存
infineon
TO-252(DPAK)
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原装现货，价格优势
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SPD04N60S5BTMA1
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SPD04N60S5
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SPD04N60C3ATMA1
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SPD04N60C3
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2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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SPD04N60C3BTMA1
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PG-TO252-3-11
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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SPD04N60S5
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SPD04N60C2
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TO-252
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SPD04N60
TO-252
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SPD04N60C3
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SPD04N60S5
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868000
品质保证,价格优惠
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SPD04N60C2
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868000
品质保证,价格优惠
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SPD04N60C3
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SPD04N60C3
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SPD04N60NS5
SIE/INF
TO-252-3L
2023+
3278
工厂配单，价格优势
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SPD04N60C3
INF
TO-252-2
2023+
1873
优势现货量大可供实单价可谈
SPD04N60C3BTMA1
INFINEON
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10,000
全新原装，香港现货
SPD04N60C3
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DPAK-3
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12300
【【原装绝对有货】】
SPD04N60S5
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DPAK-3
2023+
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库房现货原装进口
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5600
SPD04N60C3
英飞凌
252
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6000
原装现货
SPD04N60S5
ON
TO-252
2023+
13520
原装现货
相关型号： SPD04N50C3T SPD04N50C3 SPD03N60S5 SPD03N60C3 SPD03N50C3 SPD02N80C3

SPD04N60C3
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SPD04N60C3参数：MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters
标准包装：2,500
系列：CoolMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：950毫欧@2.8A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.9V@200µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：490pF@25V
功率-最大值：50W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3

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