SPD04N60C3参数：MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters标准包装：2,500系列：CoolMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：950毫欧@2.8A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.9V@200µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：490pF@25V功率-最大值：50W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3
infineonTO-252(DPAK)2023+7106原装现货，价格优势
