SPD100N03S2L-04参数：MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Oct/2007标准包装：2,500系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.2毫欧@50A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：89.7nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3320pF@25V功率-最大值：150W安装类型：表面贴装封装：TO-252-5，DPak（4引线+接片），TO-252AD供应商器件封装：PG-TO252-5
