SPD18P06P参数：MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008标准包装：2,500系列：SIPMOS®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：130毫欧@13.2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：33nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：860pF@25V功率-最大值：80W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：P-TO252-3
