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SPD30N03S2L-10

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相关型号： SPD30N03S2L07T SPD30N03S2L-07 G SPD30N03S2L-07 SPD26N06S2L-35 SPD25N06S2-40 SPD22N08S2L-50

SPD30N03S2L-10
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SPD30N03S2L-10参数：MOSFET N-CH 30V 30A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation21/Jul/2008
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：10毫欧@30A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：41.8nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1550pF@25V
功率-最大值：100W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3

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