SPD01N60C3参数：MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： CoolMOS™CPSwitchingBehavior CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters标准包装：2,500系列：CoolMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：800mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6欧姆@500mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.9V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：100pF@25V功率-最大值：11W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3
