SPI100N03S2L03参数:MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:500系列:OptiMOS™包装:散装FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 80A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):220nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8180pF @ 25V功率 - 最大值:300W安装类型:通孔封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA供应商器件封装:PG-TO262-3