SPI21N10参数：MOSFET N-CH 100V 21A TO-262
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008标准包装：50系列：SIPMOS®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：21A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80毫欧@15A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@44µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：38.4nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：865pF@25V功率-最大值：90W安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA供应商器件封装：PG-TO262-3
