SPI35N10参数:MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductDiscontinuation26/Oct/2007标准包装:500系列:SIPMOS®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):35A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):44毫欧@26.4A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@83µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):65nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1570pF@25V功率-最大值:150W安装类型:通孔封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA供应商器件封装:PG-TO262-3