SPI80N06S2L-11参数：MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation05/Jun/2008标准包装：500系列：OptiMOS™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11毫欧@40A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@93µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：80nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2650pF@25V功率-最大值：158W安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA供应商器件封装：P-TO262-3
