SPI80N10L参数:MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductDiscontinuation22/Feb/2008标准包装:500系列:SIPMOS®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):80A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):14毫欧@58A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@2mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):240nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):4540pF@25V功率-最大值:250W安装类型:通孔封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA供应商器件封装:PG-TO262-3