SPN02N60C3参数：MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation18/Dec/2009标准包装：1,000系列：CoolMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：400mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.5欧姆@1.1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.9V@80µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：200pF@25V功率-最大值：1.8W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：PG-SOT223-4
