SPN02N60S5参数:MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:1,000系列:CoolMOS™包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):600V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):400mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1.1A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 80µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.4nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 25V功率 - 最大值:1.8W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:PG-SOT223-4