SPP02N60S5参数:MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductDiscontinuation18/Nov/2011标准包装:50系列:CoolMOS™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):600V电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):3欧姆@1.1A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5.5V@80µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):9.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):240pF@25V功率-最大值:25W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:PG-TO220-3