SPP08P06P参数：MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：500系列：SIPMOS®包装：管件FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：300 毫欧 @ 6.2A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：420pF @ 25V功率 - 最大值：42W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：PG-TO220-3
