SPP20N60C3参数:MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters标准包装:500系列:CoolMOS™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):650V电流-连续漏极(Id)(25°C时):20.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):190毫欧@13.1A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.9V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):114nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):2400pF@25V功率-最大值:208W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:PG-TO220-3