SPP42N03S2L13参数:MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductDiscontinuation22/Feb/2008标准包装:500系列:OptiMOS™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):42A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):12.9毫欧@21A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@37µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):30.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1130pF@25V功率-最大值:83W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:P-TO220AB