SPU18P06P参数:MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductDiscontinuation15/Apr/2008标准包装:75系列:SIPMOS®包装:管件FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):18.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):130毫欧@13.2A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):33nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):860pF@25V功率-最大值:80W安装类型:通孔封装:TO-251-3长引线,IPak,TO-251AB供应商器件封装:P-TO251-3