SSM3J111TU(TE85L)参数:MOSFET P-CH 20V 1A UFM
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):480 毫欧 @ 300mA,4V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):160pF @ 10V功率 - 最大值:500mW安装类型:表面贴装封装:3-SMD,扁平引线供应商器件封装:UFM(2.0x2.1)