SSM3J115TU(TE85L)参数:MOSFET P-CH 20V 2.2A UFM
类别:分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图: UFMTop UFMSide标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平栅极,1.5V驱动漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):98毫欧@1A,4V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):568pF@10V功率-最大值:500mW安装类型:表面贴装封装:3-SMD,扁平引线供应商器件封装:UFM(2.0x2.1)