SSM3J120TU(T5L,T)参数：MOSFET P-CH 20V 4A UFM
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： UFMTop UFMSide标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.5V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：38毫欧@3A，4V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22.3nC@4V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1484pF@10V功率-最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：3-SMD，扁平引线供应商器件封装：UFM（2.0x2.1）