SSM3J331R,LF参数:MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:*漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 3A, 4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.4nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):630pF @ 10V功率 - 最大值:1W安装类型:表面贴装封装:SOT-23-3 扁平引线供应商器件封装:SOT-23F