SSM3J307T(TE85L,F)参数：MOSFET P-CH 20V 5A TSM
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： SmallSignalMOSFET产品目录绘图： TSMTop TSMSide标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.5V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：31毫欧@4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：19nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1170pF@10V功率-最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：TSM（2.9x2.8）
