SSM3J46CTB(TPL3)参数：MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： SmallSignalMOSFET产品目录绘图： CST3BTop CST3BSide标准包装：10,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.5V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：103毫欧@1.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4.7nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：290pF@10V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：3-SMD，无引线供应商器件封装：CST3B
