SSM3K123TU(T5L,T)参数:MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: SmallSignalMOSFET产品目录绘图: UFMTop UFMSide标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平栅极,1.5V驱动漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):28毫欧@3A,4V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):13.6nC@4V不同Vds时的输入电容(Ciss):1010pF@10V功率-最大值:500mW安装类型:表面贴装封装:3-SMD,扁平引线供应商器件封装:UFM(2.0x2.1)