SSM3K15CT(TPL3)参数：MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A CST3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： CST3Bottom CST3Side标准包装：10,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4欧姆@10mA，4V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：7.8pF@3V功率-最大值：100mW安装类型：表面贴装封装：SC-101，SOT-883供应商器件封装：CST3（1.0x0.6）
