SSM3K15ACT(TPL3)参数:MOSFET N CH 30V 100MA 2-1J1B
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:10,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 欧姆 @ 10mA,4V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13.5pF @ 3V功率 - 最大值:100mW安装类型:表面贴装封装:SC-101,SOT-883供应商器件封装:CST3