SSM3K15ACT(TPL3)参数：MOSFET N CH 30V 100MA 2-1J1B
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：10,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.6 欧姆 @ 10mA，4V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13.5pF @ 3V功率 - 最大值：100mW安装类型：表面贴装封装：SC-101，SOT-883供应商器件封装：CST3
