SSM3K106TU(TE85L)参数:MOSFET N-CH SGL 20V 1.2A UFM
类别:分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图: UFMTop UFMSide标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平栅极,4V驱动漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):310毫欧@600mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.3V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):36pF@10V功率-最大值:500mW安装类型:表面贴装封装:3-SMD,扁平引线供应商器件封装:UFM(2.0x2.1)