SSM3K303T(TE85L,F)参数:MOSFET N-CH SGL 30V 2.9A TSM
类别:分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图: TSMTop TSMSide标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):83毫欧@1.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.6V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):3.3nC@4V不同Vds时的输入电容(Ciss):180pF@10V功率-最大值:700mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:TSM(2.9x2.8)