SSM3K309T

SSM3K303T(TE85L,F)
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SSM3K303T(TE85L,F)参数：MOSFET N-CH SGL 30V 2.9A TSM

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： TSMTop TSMSide
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：83毫欧@1.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.6V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.3nC@4V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：180pF@10V
功率-最大值：700mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：TSM（2.9x2.8）