SSM3K316T(TE85L,F)参数：MOSFET N-CH 30V 4A TSM
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： SmallSignalMOSFET产品目录绘图： TSMTop TSMSide标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.8V驱动漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：53毫欧@3A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4.3nC@4V不同Vds时的输入电容(Ciss)：270pF@10V功率-最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：TSM（2.9x2.8）
