SSM3K318T(T5L,F,T)参数:MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: SmallSignalMOSFET产品目录绘图: TSMTop TSMSide标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):107毫欧@2A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.8V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):7nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):235pF@30V功率-最大值:700mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:TSM(2.9x2.8)