SSM3K35MFV(TPL3)参数：MOSFET N-CH SGL 20V 0.18A VESM
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： VESMTop VESMSide标准包装：8,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.2V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：180mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3欧姆@50mA，4V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：9.5pF@3V功率-最大值：150mW安装类型：表面贴装封装：SOT-723供应商器件封装：VESM（1.2x1.2）
