SSM5G10TU(TE85L,F)参数：MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： SmallSignalMOSFET标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：二极管（隔离式）漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：213毫欧@1A，4V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.4nC@4V不同Vds时的输入电容(Ciss)：250pF@10V功率-最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：6-SMD（5引线），扁引线供应商器件封装：UFV（2.0x2.1）