SSM6J215FE(TE85L,F参数:MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:4,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):59 毫欧 @ 3A, 4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.4nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):630pF @ 10V功率 - 最大值:500mW安装类型:表面贴装封装:SOT-563,SOT-666供应商器件封装:ES6