SSM6J503NU,LF参数:MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):32.4 毫欧 @ 3A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12.8nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):840pF @ 10V功率 - 最大值:1W安装类型:表面贴装封装:6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-uDFN(2x2)