SSM6J51TU(TE85L,F)参数:MOSFET P-CH 12V 4A UF6
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: SmallSignalMOSFET产品目录绘图: UF6Top UF6Side标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平栅极,1.5V驱动漏源极电压(Vdss):12V电流-连续漏极(Id)(25°C时):4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):54毫欧@2A,2.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):1700pF@10V功率-最大值:500mW安装类型:表面贴装封装:6-SMD,扁平引线供应商器件封装:UF6